氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件由于开关频率高、开关损耗低、开关速度快等优势而被广泛应用于消费电子、航空航天、5G通讯......

氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor, HEMT）以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人......

碳化硅(SiC)MOSFET是一种很有前景的开关式电力电子变换器器件。更宽的带隙、更快的开关速度和更高的导热系数,使得其在高压、高温......

光伏发电系统在一次能源日渐短缺的情况下扮演着重要的替代角色,并网逆变器是整个光伏发电系统的关键,而功率开关器件作为逆变器的......

随着能源消耗的日益增加,对于清洁能源的开发和利用受到了世界各国政府的高度重视,其中太阳能光伏发电有着光明的发展前景。光伏发......

为减小全SiC功率组件开关振荡,满足高功率密度对功率器件的应用要求.定量分析三相两电平拓扑叠层母排元器件布局关系,建立考虑自感......