氮化镓（GaN）是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料,在国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要中被确定为重点发展方向之一。GaN材......

作为整流电路、限幅电路等的核心器件,大功率氮化镓肖特基二极管(GaN based Schottky Barrier Diode,SBD)近年来得到了广泛关注。......

着重对紫外(UV)LED芯片的反向漏电进行研究,使用高Al组分的AlGaN材料作为LED外延结构中的电子阻挡层(EBL),旨在解决UV LED芯片在老......