量子点发光二极管（QLED:Quantum Dot Light-Emitting Diodes）作为一种新型的电子发光器件,与有机发光二极管（OLED:Organic Light-Emitting Diodes）和液晶显示器件（LCD:Liquid Crystal Display）相比,具有可溶液加工、材料稳定性高、色纯度高等优点。目前QLED吸引了人们越来越广泛的关注及更深入的研究,并且已经取得了显著的发展,有望成为下一代固态照明和显示的主流技术。然而,目前QLED仍存在一些问题需要解决。ZnO纳米晶作为电子传输层材料一直被广泛地应用在QLED中,它的出现极大地提高了QLED的性能。然而,ZnO纳米晶本身存在较多的问题,表面缺陷态过多导致激子猝灭、合成批次之间性能差异过大导致产业化应用受到阻碍、没有与之相匹配的空穴传输材料导致电子空穴注入不平衡等。本工作采用康宁液相反应器来合成ZnO纳米晶,合成的纳米晶样品尺寸分布均匀,在3-4 nm范围内分布比例达到75%;而且该方法的重现性较好,合成的样品批次间差异小。与溶胶-凝胶法相比,该方法合成效率也大大提升。溶胶-凝胶法动辄需要1小时甚至更长时间,而液相法合成同样的样品只需短短的几分钟。两种方法合成的样品均作为电子传输层用于QLED,液相法合成的样品在性能上有大幅提高。本工作合成了具有不同Mg掺杂浓度的样品,在15%的镁离子掺杂浓度下达到了最佳性能,EQE、C.E.、P.E.分别达到了12.1%、17.56 cd/A、18.21 lm/W,比溶胶-凝胶法合成的15%Mg掺杂的样品制备的器件性能分别提高了25.1%,21.6%和26.9%。而且用液相法合成的Zn1-xMgxO纳米晶作为电子传输层的QLED器件发光均匀性更好。作为应用比较广泛的空穴传输层材料,TFB具有非常优越的空穴迁移率以及合适的能级匹配。经过液相反应器合成的Zn1-xMgxO纳米晶的尺寸虽然非常均匀,但是由于其粒径较小,导致电子迁移率降低,低于TFB的空穴迁移率。因此,将两者应用到QLED中会导致载流子传输不平衡。为了平衡电子和空穴的注入,需要降低空穴传输层材料的空穴迁移率。另外,在溶液法制备器件中,层间互溶问题也限制了TFB的应用。基于以上两个问题,本工作合成了一种新型小分子交联剂X1,可以使TFB在低温和低紫外线功率下发生交联,从而获得抗溶剂性。而且,将X1掺杂进入TFB之后由于其绝缘特性还可以降低TFB空穴迁移率,使之与Zn1-xMgxO的电子迁移率相匹配。经过优化后,其最佳交联条件为在120℃、365 nm紫外光（光功率为16 m W/cm~2）下反应30分钟。在此条件下,不仅可以完成交联,而且可以很好地改善膜层的形貌,促进空穴更为有效地传输。经过交联的TFB具有完全的抗溶剂性,在QLED中表现较好,EQE、C.E.、P.E.分别达到了14.66%、19.17 cd/A、22.22lm/W。与纯TFB为空穴传输层材料的QLED相比,EQE、C.E.、P.E.分别提升了19.19%、20.04%、14.89%。