单片集成是传感器发展的未来趋势，它将MEMS器件和接口电路、处理电路集成在一块芯片上。CMOS后处理工艺释放制作的微型传感器能够实现低成本、高性能、高度一致性和大规模生产，这也是MEMS传感器相对于传统传感器的显著优势。　　 从正面释放体硅结构，简化了工艺流程、降低了操作难度，容易形成工艺标准，并且相对于背面释放技术，腐蚀时间大大缩短，因此越来越受到研究者的重视。　　 本课题的目标是建立与CMOS工艺兼容的体硅正面释放技术，主要是实现湿法腐蚀中芯片正面的结构保护，并利用PN结自停止腐蚀来释放N阱结构。　　 利用掺硅的TMAH溶液对铝的腐蚀速率慢并且与CMOS工艺兼容的特点，可实现对用铝做腐蚀掩膜的CMOS结构的保护。本文研究了掺硅TMAH溶液的相关特性，确定溶液配比为“5wt.％TMAH+1.8wt.％Si”，其腐蚀硅较快，且几乎不腐蚀铝和氧化层。在此基础上分析了影响电钝化腐蚀特性的各种因素，测量了不同类型的硅片在改进TMAH溶液中的I-V特性，其中P型硅片的开路电势为-1.33V，N型硅片的钝化势为-0.93V。　　 本文设计了体硅正面释放实验，在版图中加入常用的各种MEMS结构，在铝保护层完好的情况下，分别采用三电极系统及四电极系统成功释放出了结构；并设计了多晶硅保护实验，50％以上多晶硅保护良好，结构也基本释放。　　 实验结果表明与CMOS工艺兼容的体硅正面释放技术完全可行，为以后利用此技术制作各类传感器奠定了一定的基础，应该做进一步的研究将其应用于后处理工艺。