本文主要是介绍直流平面磁控溅射法制备二氧化钒相变膜工艺的研究。围绕二氧化钒相变膜制备技术，介绍了磁控溅射法制备工艺、退火工艺、表面成分分析及光学实验在内的整个制备过程。在溅射前对基片进行反溅，解决了氧化钒薄膜与基底的结合问题。由于钒的氧化物有很多种，氧化钒研究的难点在于怎样制备VO2含量高的氧化钒薄膜。为了提高纯度我们对制备好的氧化钒薄膜做了退火处理，对它做了X射线光电子能谱(XPS)测试，在退火前后分别拟合了其组成成分，对拟合结果做了对比，分析了退火对氧化钒薄膜组成成分的影响。针对JGP560F型超高真空多功能磁控溅射设备及制备参数计算了磁控溅射的溅射产额。由此可以计算出氧化钒薄膜的厚度。 最后我们做实验测试了它在相变前后的透过率，由透过率的变化看出我们所制备的氧化钒薄膜发生了相变。