一、氢氛下电子辐照对氧化铝电特性影响的研究：处于氢氛下的氧化铝陶瓷在受电子辐照时会发生何种变化,特别是电导率的变化,对一些实际应用是非常重要的.该工作主要利用X射线光电子谱仪（XPS）和俄歇电子谱仪（AES）对此作了研究.首先对九五陶资氧化铝作了表面成份分析并用AES测录了铝LVV俄歇峰在受氢氛下电子辐照时的变化情况,发现九五陶瓷的表面成份复杂,LVV有较明显的变化.但对陶瓷材料的进一步研究受到了表面分析过程中样品绝缘引起的荷电效应的限制.随后对由阳极氧化法制备的约60nm厚的氧化铝薄膜样品作了模拟研究.讨论了上述变化的可能机理,分析了其对样品电导率的影响,我们的结论是氢氛下电子辐照可以减少样品表面的C污染及氢氧根离子,此变化不会使氧化铝样品的绝缘性能发生退化.对入射氢原子和固体内氢氧根离子的作用提出了一个简单的几率模型并作了计算机模拟,得到了预期的变化曲线.二、Ag-TCNQ薄膜电双稳态特性的XPS研究：Ag-TCNQ薄膜由于具有电双稳态特性而在分子电子器件方面有着潜在的应用,该文利用XPS对其进行了研究,主要工作内容和成果为：●测录了TCNQ粉末的XPS谱图,通过对N1s和C1s中携上峰来源的分析证实了TCNQ的LUMO和HOMO均处于氰基端,因而氰基易于与其他分子或原子发生反应.●比较了TCNQ粉末和退火前后的真空热蒸发TCNQ薄膜共三组样品相应成份的XPS峰,没有发现可察觉的变化,说明TCNQ在成膜和退火过程中没有发生化学变化.