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在等离子体辅助化学气相沉积金刚石的设备中,在Si(111)基体上进行沉积金刚石薄膜的实验。在沉积实验之前,首先用细砂纸将硅片打磨5分钟,金刚石研磨膏研磨硅片15分钟,用去离子水冲洗,超声波清洗,取出后吹风机烘干,然后放入反应室沉积金刚石薄膜。本文主要研究了在CH_4/H_2=1%～5%,基体温度为700℃～880℃,偏压为OV～400V,沉积气压为1kPa～5kPa等一系列实验条件下金刚石膜的形核与生长。运用扫描电子显微镜和X射线衍射谱对金刚石样品进行了分析,得到了以下结论:①基片的预处理对金刚石膜