硅基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的发光二极管和光电子集成技术中都具有潜在的重要作用。稳定而有效的发光在包埋于氧化硅或氮化硅的Si 团簇中可以获得,然而关于硅基纳米材料的发光起因仍在争论当中。对硅基发光纳米材料的发光起因的澄清,不仅可以深化与丰富低维物理的研究内容,而且对于硅基光电子器件的进一步发展是非常有意义的。本论文主要对包埋硅量子点的氮化硅薄膜的制备和表征进行了研究,取得的主要结果如下: 1.采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在低温下制备了高质量的包埋硅量子点的氮化硅薄膜,对所制得的薄膜在不同退火温度下的结构特性以及发光特性进行了分析; 2.研究了不同反应气体流量比对富硅氮化硅薄膜的影响,对所制得薄膜的结构特性以及发光特性进行分析; 3.通过退火温度和反应气体流量比对富硅氮化硅薄膜的影响,研究薄膜的发光特性和结构间的关系,进而分析得出材料的发光机理,澄清了硅基纳米材料的发光起因,认为发光来源于包埋于氮化硅薄膜中由于量子限制效应而使带隙增大了的硅团簇; 4.证实了富硅氮化硅薄膜中硅团簇的存在,并且计算了薄膜中硅团簇的尺寸大小,为材料的发光来源做了进一步的验证。