等离子体增强化学气相沉积相关论文
随着集成电路技术的快速发展,芯片结构更加复杂,尺寸越来越小,对薄膜沉积的性能提出了更高的要求.等离子增强化学气相沉积（PECVD）与C......
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等离子体增强化学气相沉积（plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD）是高端集成电路制造中的关键工艺。通过对PECVD工艺及......
碳化硅（SiC）材料具有较宽的带隙,较高的电子迁移率和优越的导热性,因此在电子器件开发中极有吸引力。众所周知,绝缘特性的SiO2层具有......
固体表面发生的二次电子发射（SEE）会导致固体表面电荷的累积，产生电子云效应，这极大地阻碍了粒子加速器、航天器、电真空器件等多种器......
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料，因其优异的光电性能和稳定性，十分适合制备光电子器件和微波射频器件，在照明与显示、5......
作为一种具有高功率密度、快速充放电、长循环寿命的无污染环保储能器件,超级电容器在新能源汽车、太阳能与风力发电等诸多领域中......
由于对能源需求的不断增加和能源的有限供应已经开始制约世界经济的发展,能源问题越来越受到人们的关注,所以人们把目光投向新型、......
近年来,日盲紫外探测器因其在国防和民用领域具有潜在的应用价值而得到广泛关注,已成为了半导体光电子器件领域内的研究热点。如何......
石墨烯是一种新型的二维碳纳米材料,拥有独特的晶体结构。正因为其独特的结构,使其具有非常优秀的电学、光学、力学及热学性能。基......
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类金刚石（DLC）薄膜膜凭借其优异的摩擦学性能和自润滑性能,已经大量应用于微观系统中,以降低微观系统工件的摩擦磨损,延长其使用寿命......
如今,镁合金在各行各业已经得到了广泛的应用。但是,硬度低、耐磨性差及耐蚀性差等问题也限制了镁合金在一些领域的使用。表面涂层......
微晶硅（μc—Si：H）是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性，器件质量级材料的表征参量，材料的生长技术，微晶......
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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是制备非晶硅太阳能电池a-Si:H薄膜材料应用最广泛的技术。非晶硅材料在可见光内有较高的吸收系......
在等离子体作用下,以CO2/H2混合气为氧源,Zn(C2H5)2锌为锌源,在单晶硅上生长出高度择优取向的氧化锌薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜......
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近几年来，类金刚石膜(Diamond-LikeCarbonFilmDLC)凭借其优良的物理、化学性能，可以被大量应用于微机电系统(MEMS)和高密度信息存储......
硅基薄膜材料作为一种极具潜力的光电能量转化材料,由于其能耗低、可使用廉价衬底,并易大面积沉积等优势而备受人们关注,也使其在......
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硅碳氮(SiCN)薄膜作为一种新型的第三代宽带隙半导体材料,具有较高的硬度、良好的发光及场发射特性、高温抗氧化性以及抗腐蚀性和......
半导体硅材料是可大规模应用于太阳能电池的首选材料，硅基太阳能电池一直是光伏产业发展的主流产品。但由于晶体硅的光学带隙为1.1e......
近年来,随着太阳能技术的蓬勃发展,人们在日常生活中太阳能电池应用的领域越来越广泛,而且目前应用最多的就是硅电池。而如何增加......
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目前商业上常用的是晶体硅太阳能电池，而提高电池的光电转换效率，降低成本一直是研究工作者的目标。制备性能优良的减反射钝化膜是生......
提出一种新型复合固体润滑膜,并讨论了该复合膜的结构和作用机理。复合结构的基本组成是传统硬质涂层TiN和TiC的结合,最上面的固体......
随着光通信的飞速发展,Si基SiO2平面光波导集成器件的应用更加重要和广泛。在Si基上制备高质量的厚SiO2 薄膜,是制作SiO2光波导及......
用等离子体增强化学气相沉积法在低温(低于50℃)衬底上沉积Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜,可得到平均颗粒尺寸小至3nm的高密度(最高可......
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利用偏压/射频耦合等离子体增强化学气相沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(简称聚酯,PET)筒内壁制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用X射......
以硅烷和氧化二氮作为反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,不使用掺杂,在单晶硅衬底上制备了用于平面光波导的二氧......
以H2、反式-2-丁烯(T2B)和二茂铁混合气体为工作气体,用金属有机等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了Fe掺杂氢化非晶碳(a-C:H......
介绍了基于双频电源PECVD沉积设备的电源系统设计,包括系统组成、射频电源的选取和调谐控制等。并对加载不同频率电源的PECVD反应......
使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C:F:H薄膜样品.采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射......
利用射频等离子体增强化学气相沉积（rf PECVD）工艺在不锈钢基底上制备a-C：H膜,利用激光Raman光谱表征所沉积碳膜的微观结构,特别是通......
分别用磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积方法在PMMA基底上沉积硅膜和含氢非晶碳（a-C：H）膜.用氩离子溅射硅靶制备硅膜,以甲烷和氢气......
采用射频-等离子体辅助化学气相沉积（RF-PECVD）法在硅片、玻璃上生长类金刚石薄膜。通过Raman光谱、AFM等测试手段，研究不同的生长工......
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在石英片上生长类金刚石薄膜。通过紫外可见分光光度计、椭偏仪测试手段,研究不同射......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL......
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,......
采用等离子体增强化学气相沉积方法,以Ni作为催化剂实现碳纳米管阵列定区域单根分立生长.扫描电子显微镜分析结果表面,碳纳米管呈......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在超高分子量聚乙烯(UHMWPE)表面制备类金刚石(DLC)膜,用激光拉曼(Raman)光谱仪......
对用于制作冷作模具的两种高速钢W18Cr4V和W6Mo5Cr4V2Al进行离子渗氮－PECVD TiN复合处理，研究了复合处理层的组织与性能特点。结果表......
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在一定射频功率、衬底温度和气压下，在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料......
采用氟化钨（WF6）和甲烷为前驱体气体，以氩气为载气，在氢气氛下，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在低温下制备具有纳米结构的碳化......
介绍了一种新型等离子体增强化学气相沉积内表面复合处理系统。利用此系统沉积TiN涂层的结果表明,φ100mm×1000mm316不锈钢......
本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法沉积出不同掺杂浓度的硅薄膜。利用原子力显微镜（AFM）,IR和Raman散射等手段对硅薄膜的微......
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率......
考查了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）高压制备微晶硅（μc-Si：H）薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,......
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系,为了获得高质量的晶体薄膜,采用PECVD方法在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度为120℃,然后分......
利用射频等离子体增强化学气相沉积（RFPECVD）方法，以CH4、Ar和H2为气源，在CR-39树脂材料上制备出了含氢非晶碳膜（a-C：H膜）。研究了不同偏......
开发了一个朗缪尔探针等离子体诊断系统，对PECVD真空镀膜机进行了等离子体参数诊断。该镀膜机内的等离子体是电容偶合激发方式的氩......
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等......
研究了不同磁场约束条件下C2H2射频放电对PET圆筒内表面性能的影响规律。利用傅里叶变换红外光谱（FUR）对不同等离子体条件下处理的聚......
类金刚石膜在磁盘和读写磁头之上形成一层关键的保护膜.磁存储密度的飞速发展可以使存储密度上限达到1万亿字节/英寸2.这要求读写......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄......
