【摘 要】
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考查了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）高压制备微晶硅（μc-Si：H）薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5nm
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（973计划）项目（2006CB202602,2006CB202603）,国家自然科学基金项目（60506003）,国家科技计划配套项目（07QTPTJC29500）
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考查了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）高压制备微晶硅（μc-Si：H）薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5nm/s;保证硅薄膜具有一定的晶化程度（40%～80%）,由不同探测波长的Raman散射谱估算纵向结构变化。以腔室使用时间作为基准,考查不同硅烷浓度下制备的样品,发现在相同沉积条件下,材料的晶化率和光暗电导随腔室使用时间的增加而不断增大,沉积速率随之大幅提高。观察发现,在电极板和腔室壁上积累了大量硅反应残留物（硅粉末和硅薄膜
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