在利用振动样品磁强计进行磁性表征时,可以观察到磁滞回线的畸变现象,例如倒逆的回线,这些畸变既与样品的特性相关,例如磁各向异性,也涉及仪器的工作机制及其与样品的相对位置、取向。本论文首先研究了沉积工艺对NiFe合金薄膜结构与磁性的影响,获得了具有理想单轴各向异性的NiFe薄膜。进一步发现利用双线圈振动样品磁强计测量其垂直磁滞回线(测量场沿薄膜法线方向)时可能出现另一种类型的畸变,即回线绕向正常(逆时针绕向),但在零场附近大致对称地出现两个凸起的峰形,或者说在低场下的某个小范围内出现了负的磁化率。考虑到在本论文工作中,样品在测量之前已被严格定位到鞍区以内,所以这种畸变不应该来源于样品位置的偏差。本论文基于双线圈振动样品磁强计的结构特征,提出了一套可能的机制以解释这种畸变的来源:样品振动方向、测量场方向和样品法线三者并不严格共线,彼此之间存在小的偏离,而仪器实际给出的是样品磁矩在振动方向上的投影分量对测量场的函数关系,当样品各向异性轴处于某个特定角度范围时,该投影分量将在低场下出现一定程度的上扬,表现为上述形式的畸变。