近年来,以闪存为代表的非易失性存储器(NVS:Non-Volatile Storage)在存储领域受到了广泛关注。凭借其高效且安全的存储特性,闪存已经在生活的许多场景得到大规模应用。闪存的高速发展使得对其可靠性需求已经越来越紧迫。存储单元尺寸大小的日趋锐减导致了闪存内部的噪声干扰日趋严重,这导致存储单元间的耦合干扰(ICI:Inter-cell Interference)成为了闪存内部最主要的干扰因素之一。本文提出了两种用于解决闪存中:ICI干扰的可行方案。主要工作如下:(1)本文分析了 ICI干扰噪声产生的本质原因,并且基于对闪存中ICI干扰的错误模式分析,提出了一种名为模式标准化(PN:Pattern Normalization)的创新方案。在PN方案的实现中,提出了一种插入保护信息(GI:Guards Inserting)的方法,以保证PN方案的良好性能。PN方案使得闪存中的ICI干扰得到了显著缓解。此外,通过结合使用PN方案,对于信道纠错编码(ECC:Error Correcting Coding)中软信息的获取也变得更加简易。通过仿真实验,我们分析了系统的误码率(BER:Bit Error Rate)水平,验证了该方案的有效性。(2)闪存结构中水平方向上的ICI干扰以及竖直方向上的ICI干扰,在当下已经被认为是同等重要的影响因素。为此,我们提出了一种二维的层级约束编码方案(HCC:Hierarchical Constrained Code),用于抵制闪存中两个方向上的ICI干扰。以上的方案我们都将其应用于单层单元闪存(SLC:Single-Level Cell)以及多层单元闪存(MLC:Multi-Level Cell)中。另外,我们将以上提出的方案结合信道纠错编码例如低密度奇偶校验码(LDPC:Low Density Parity Check Code)和BCH码,通过进一步在闪存系统中进行仿真实验,验证以上方案的良好性能。