铁基钴基纳米结构阵列的制备及其磁和电子输运性质研究

来源 :中国科学院合肥物质科学研究院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bigxiong
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随着上个世纪70年代纳米科技的兴起,磁性纳米材料得到了蓬勃的发展,在工业,农业,国防,电子通讯,信息存储和医疗等各个方面得到了广泛的应用,甚至带动了新的学科的出现——自旋电子学,对于开发新一代超高信息磁存储量子磁盘具有重要的理论意义和潜在的应用前景。本文围绕铁基、钴基磁性纳米结构的制备合成、形态控制、磁学特性、电阻弛豫和霍尔效应等方面展开了深入系统的研究。   基于二维胶体晶体膜板,结合溶液浸渍法合成了一系列形态可控的α-Fe2O3纳米结构阵列,并对其磁学性质进行了研究。在环阵列的磁滞回线中发现了平台,在碗阵列的磁滞回线中发现了跳跃。我们将其归结为静磁能和交换作用能的竞争下磁畴运动的结果,为理论解释铁氧体纳米材料在亚微米尺寸内的运动机制,提供了重要的参考。   采用电化学沉积制备出铁铂纳米颗粒薄膜,通过激光辐照等分散技术,将其分散到介孔二氧化硅中,形成介孔二氧化硅/铁铂纳米颗粒复合材料。研究了热处理温度对其磁学性质的影响,发现铁铂纳米颗粒不仅具有超高矫顽力,而且其矫顽力随不同的退火温度具有不同的时间记忆效果。   采用胶体晶体膜板,制备了高比表面积的钴铜颗粒多孔薄膜,研究了薄膜的霍尔效应及其时效演变,发现室温时效不仅可以导致载流子类型的转变,而且可以获得巨大的反常霍尔效应,此结果对于室温下自旋电子学器件具有潜在的的应用价值。   采用双层胶体晶体膜板,通过调控制备参数,获得了具有柱状突起的钴铜多孔薄膜,发现薄膜具有电流诱导的电阻变化现象,这种输运机制不仅与电流大小有关,而且与所加的外磁场有关。分析表明,这种现象可能起因于电流诱导下的纳米结构薄膜内部磁畴运动的结果。这一研究结果对于电流诱导下的磁畴运动,尤其是小电流诱导下的磁畴运动将具有重要的参考意义。
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