a-C:F薄膜热稳定性及N<,2>热处理对其结构和性质的影响

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以CF4和C6H6混合气体作为源气体,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(a-C:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性。使用台阶仪测量了退火前后薄膜的厚度;用紫外可见分光光度计(UV-VIS)测量了薄膜的透光谱,进而计算了光学带隙;利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜的化学键和结合态;使用低频阻抗测试仪测量了薄膜的电容和损耗角正切值,考察了薄膜的介电性质;使用X射线衍射仪(XRD)获得了薄膜相的信息。本文重点研究了微波功率对薄膜热稳定性影响并考察了在N2气氛下热处理后a-C:F薄膜的结构和性质的随退火温度的变化。 结果表明,高微波功率下制备的a-C:F膜具有较好的热稳定性;室温下沉积的薄膜主要由CF2和CF键和C=C键构成,当退火温度较低时,C与F成分主要以CFx的形式从膜中逸出,当退火温度继续升高后,部分SP3C转变成Sp2C,使膜中C=C键含量增加;a-C;F薄膜经历了400℃热处理后仍为非晶结构;薄膜C=C键含量与光学带隙之间存在密切的关联,低的光学带隙对应较好的热稳定性;退火山氟的逸出导致了介电常数增大,薄膜取向极化的增加使得介电损耗增大。
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