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【摘 要】
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功率MOSFET由于可以实现高速的开关,有着较高的输入阻抗,并且易于被驱动,在功率器件中占有着重要的地位。但是功率MOSFET器件的击穿电压和比导通电阻存在着一个重要的折中关系,即增加击穿电压的同时,器件的比导通电阻也会急剧增加。因此该折中关系一直是功率MOSFET的研究重点。对比于横向功率MOSFET,纵向的沟槽功率MOSFET几乎不存在JFET区电阻,因此应用更加广泛。本文以纵向的沟槽功率MO
【机 构】
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电子科技大学
【出 处】
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电子科技大学
【发表日期】
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2022年01期
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