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【摘 要】
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ZnO为一种直接宽禁带半导体,其宽达3.37eV的禁带宽度使其吸收边位于紫外波段而在可见光范围内具有很好的光学透过率,随着Al等元素的掺杂,可以有效地提升其光电性能,Mg等元素
【出 处】
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广西大学
【发表日期】
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2016年期
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