太赫兹波段的调制器和光开关是太赫兹波领域研究热点之一,其中一维光子晶体结构简单、制作工艺成熟使得成为研究热点。为了研究光子晶体的动态调制特性,本论文通过太赫兹时域光谱仪探讨了铁电材料锆钛酸铅(PbZr_0.52Ti_0.48O₃)随光照变化的调制,分析了其微观机制,并以锆钛酸铅作为缺陷层,设计参数并研究了太赫兹波段下光子晶体的调制能力。主要研究内容如下:1、分析了铁电材料各种调制方式,利用阻尼谐振子模型研究了铁电材料的调制原理。详细地推导了一维光子晶体的传输矩阵模型,得到透射系数和反射系数,并用MATLAB软件编写程序。2、制备了锆钛酸铅薄膜,得到太赫兹波段的时域光谱,通过参数提取,得到外加光场下,薄膜内部的载流子重新分布,形成一个内电场,导致硅基锆钛酸铅薄膜的折射率和介电常数随着外加光场的强度变化而变化,折射率实部的调制幅度最高可达99.3%,介电常数实部的调制幅度可达698.5%。3、探讨了光子晶体的两个特性:光子禁带和缺陷模式。一、研究了无缺陷层的光子晶体,其介质周期数、中心频率、入射角度和折射率对光子禁带的调制作用;二、利用锆钛酸铅作为光子晶体的缺陷层,研究了缺陷层厚度对缺陷模式的调制作用,最后根据锆钛酸铅随光照调制的作用,得到锆钛酸铅不同折射率时,对一维光子晶体动态调制特性。