过渡金属硫族化合物（TMDCs）单层材料,具有1² e V的可调直接带隙,类石墨烯的晶体结构,因此基于该系列的材料可以组装成性能优良的平面薄膜晶体管、发光晶体管、光探测器、太阳能电池等器件。本文首先研究了大尺寸高质量WS₂薄膜CVD法的可控制备,通过正交实验制备出了WS₂薄膜,并且通过极差分析方法探讨了反应温度、反应时间、氩气流速、硫钨比对所制备的薄膜的面积影响。具体研究内容如下:1、首先采用普通CVD法,应用正交设计方案优化了大面积WS₂薄膜的制备工艺参数,研究了优化工艺下大面积WS₂薄膜的光致发光性能。研究结果表明:优化工艺参数为:生长温度830°C、生长时间10 min、氩气流速60sccm、硫钨比3:1,这组工艺条件下,衬底上生长出大面积连续的单层薄膜。温度是影响薄膜生长面积的最主要的因素,其次依次是时间、氩气流速、硫钨比。在正交实验中,反应温度800°C、反应时间20min、氩气流速60sccm、硫钨比3:1的工艺条件下,衬底上沉积了大量的三角形薄膜,单边尺寸普遍在40μm以上,最大的一个晶粒单边长度大约是50μm,是多层薄膜。生长温度830°C、生长时间10 min、氩气流速60sccm、硫钨比3:1的工艺条件下制备出的单层薄膜具备最高的发光峰强,表明该组工艺制备出的薄膜结晶质量最高。2、使用氯化钠、氯化钾辅助CVD法制备大尺寸高质量WS₂薄膜,研究结果表明,金属卤化物有助于连续成膜,制备薄膜致密性较好;但辅助方法生长的薄膜多为多层WS₂薄膜。使用3mg氯化钠辅助制备薄膜工艺条件下,制备出了大面积的单层薄膜,尺寸大约为53μm,是本文制备出的最大的单层单粒薄膜。