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石墨因其优异的物理、化学及机械性能引起了国内外学者的广泛关注。MoS_2是具有类石墨烯结构的新型二维材料,具有较高的比表面积,这增大了与气体分子的接触面积,使其在气体传感器领域具有很好的应用前景。但是目前基于MoS_2的气敏器件中所采用的MoS_2大都是采用机械或化学剥离法制备得到,所得MoS_2薄膜面积小、层数不确定并且重复性差,也不利于气敏器件的大规模生产,同时MoS_2的气敏性能出现饱和的现象,而且器件的响应和恢复时间长达数十分钟。针对以上问题,在本论文中我们采用化学气相沉积法(CVD法)制备