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本文对硅基肖特基源漏MOSFET(简称SBSD-MOSFET)进行模拟研究。SBSD-MOSFET用肖特基接触代替了pn结来做MOSFET的源漏区。这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应，能大幅度减小器件尺寸。其制备工艺简单，避免了离子注入工艺和退火步骤。首先，文中分析了SBSD-MOSFET的电流输运机制。根据其结构特点，我们可以将其看作是两个背靠背的肖特基二极管。源漏区肖特基接触界面的特性和常规肖特基二极管相似，电流的输运主要以热电子发射和隧道效应为主。其次，本文通过二维模拟软件DESSIS模拟了体硅SBSD-MOSFET的基本伏安特性，模拟结果显示，体硅SBSD-MOSFET有着较大的反栅压泄漏电流，而反栅压泄漏电流包括两部分：来自源结的热发射泄漏电流与来自漏结的隧穿泄漏电流。最后，我们的模拟发现，普通SOI结构SBSD-MOSFET能有效阻挡来自源结的热电子发射泄漏电流，但仍不能阻挡来自漏结的隧穿泄漏电流。为此本文给出一种侧墙不对称SOI结构SBSD-MOSFET，该器件获得了良好的开关特性，漏侧较厚的侧墙保证了小的泄漏电流，同时源侧较薄的侧墙能获得大的驱动电流。栅长和硅材料掺杂浓度对侧墙不对称SOI结构SBSD-MOSFET的特性影响很小，该优点表明，侧墙不对称SOI结构SBSD-MOSFET的研制能获得较高的成品率。