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该论文对多位掺杂取代制备钛酸钡陶瓷PTCR材料,尤其是"0"位掺杂的使用来降低材料的室温电阻率系统地蚝了实验研究和理论分析.该论文采用HP4194复阻测试了计算材料配方引起的晶粒,晶界电阻的变化,发现配方改变造成晶界电阻和晶粒电阻同时相同的变化,但是晶界电阻变化幅度大,晶粒电阻的变化微弱.该次论文采用表面响应方法建立了材料室温电阻率对配方的适应模型.