【摘 要】
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大功率半导体激光器是目前应用广泛的激光器类型,而其中激射波长为1.06μm的半导体激光器在军事方面起着重要的作用,例如激光制导、激光跟踪、激光测距、激光雷达、激光瞄准
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大功率半导体激光器是目前应用广泛的激光器类型,而其中激射波长为1.06μm的半导体激光器在军事方面起着重要的作用,例如激光制导、激光跟踪、激光测距、激光雷达、激光瞄准以及激光警告等。本文采用宽波导的结构来增大激光器输出功率,同时减小了光学灾变损伤阈值。并且通过模拟对激光器结构中各层的厚度、组分进行优化,研究其限制因子、折射率、输出功率、阈值电流等重要参数,进而得到完整的1.06μm单量子阱半导体激光激器结构,即量子阱厚度为0.007μm,波导层厚度分别为1μm,其中A1组分为0.15,上限制层厚度为1.8μm,下限制层厚度为3.2μm并且其中A1的组分均为0.4。最终对论文中设计的激光器结构进行优化工艺,制各出腔长lmm,条宽100μm的激光器晶体,并对其进行测量,得到激光器的工作电流大约在3.9A时,输出功率平均可以达到2.85W,斜效率约为0.88,串联电阻为0.31Ω。
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