应用于4G-LTE超薄笔记本电脑天线的设计

来源 :安徽大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:SHANGTIEYING
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
伴随着无线通信技术的快速发展,4G时代已经稳步来临。笔记本作为重要的移动终端,其天线的性能制约着终端的发展。  本文主要针对移动终端超薄笔记本LTE(Long Term Evolution)天线进行研究。首先介绍天线的基础理论知识;概述了主流内置笔记本天线(平面倒F天线与单极子天线)结构与理论,并分析各自的特点;然后总结了国内外内置天线宽带多频化技术的特点。在此基础上,结合PIFA、单极子和LOOP这三种天线形式,设计了两款LTE全频段超薄笔记本天线,覆盖整个LTE(700/2300/2500)以及WWAN(GSM850/900/1800/1900/2100)八个频段。工作带宽从698MHz-960MHz至1710MHz-2690MHz,并应用Ansoft HFSS软件进行模拟仿真与分析,得到天线的模拟参数。最后制作天线的实物并进行测试,测试结果验证了设计的实用性,在整个频段内效率大于40%,驻波比小于3。  最后针对最新的天线MIMO技术,运用HFSS软件对本文设计的耦合馈入LTE天线进行了仿真与探讨。采用2*1的天线分集形式,并对天线对打与同向放置结构的S参数进行了对比与分析。在LTE全频段,同向放置的MIMO天线结构能够满足驻波比小于3,且隔离度大于10dB的要求。
其他文献
水工环是一个综合性概念,包括水文、工程以及环境地质等方面的内容.水工环地质勘察源于环境保护、科技发展,尤其是可持续发展概念提出来以后,人们开始对环境以及经济发展提出
该文针对几种典型数字调制方式,分析多径衰落的影响,力图得到相应误码基底的闭式表达.该文采用理论推导,分别对RC-QPSK,MQAM,(G)MSKG等调制方式,讨论了频率选择性衰落的影响,
该文围绕SOI技术在下面三个方面开展了研究:1.研究了ELTRAN(Epitaxial Layer Transfer)SOI材料制备技术中的关键工艺--多孔硅上的低温硅外延.2.研究了智能剥离(Smart-Cut)SOI
论文初步实现了一个点对点的基于PC机和公用电话网络的远程监控系统.系统包括三个部分:该地监控终端子系统、传输网络和远程监控终端子系统.该系统实现了视频图象动态传输和
哺乳动物细胞转录组中存在大量小分子非编码RNA(small non-coding RNA),主要包括microRNA(miRNA)、内源干扰小RNA(Endogenous small interfering RNA,endosiRNA)和Piwi结合小RN
将等离子体电解技术与生物质液化技术相结合,对木屑进行液化时,在酸性电解质溶液中溶液体电阻加热和等离子体能够高效地加热溶液;同时,等离子体产生的活性粒子和H+离子能迅速的降解生物质和塑料,为裂解高聚物大分子开辟了一条新的途径,该技术耗能低、效率高。本论文首先对等离子体电解液化生物质的加热机制和光谱特性进行来研究,随后利用该技术对废弃聚乙烯塑料进行了降解。在等离子体电解液化生物质的研究中,我们选择了聚
学位
从微生物次生代谢物中发掘生物活性化合物是新农药研究与开发的一个重要途径,包括直接从中发现农药活性化合物和对天然化合物的化学结构改造或分子修饰,进而研究开发全新结构的
InGaN/GaN量子阱具有较高的量子效率、较大的激子结合能、可调节的发光波长、较高的辐射复合速率等诸多优势,因此被广泛应用于激光二极管、发光二极管、激子极化激元LED、激子极化激元激光器等领域。其中,InGaN/GaN量子阱中较大的极化电场,会对激子带间跃迁能会产生强烈的影响。而InGaN/GaN量子阱中较大的激子结合能保证了其室温下激子及其极化激元的形成。但是,在外延生长InGaN过程中由于I
学位
本研究以植物一氧化氮合成酶关联因子(nitric oxide synthaseassociated,NOA)为切入点,利用NOA突变体Atnoa1作为实验材料,研究了内源一氧化氮参与并调节拟南芥盐胁迫应答反应
经过反复实验,该工作提出离子速溅射氧化钢粉末靶与氮氢还原气氛中退火相结合的方法制备氧化钢热敏薄膜.论文研究离子束溅轩热敏的方法及工艺条件,用AES、XPS、XRD、AFM等测