半导体材料是现代信息社会的基础，各种元器件，功能设备的制造都离不开它，ZnO作为第三代半导体材料，具有宽禁带，高激子束缚能，原料成本低等优点，在很多领域都有发展潜力，虽然目前n型ZnO的研究比较成熟，已经成功应用于很多方面，特别是透明导电薄膜，可以用作太阳能电池的床电极，图像传感器，太阳能聚光器等等。但是p型ZnO的制备一直面临重重困难，这制约了ZnO基光电器件的发展。制作氧化锌光电器件的2个关键就是：性能稳定的p型ZnO的制备，以及通过能带工程，获得晶格匹配的势垒层。基于这种背景，本文针对ZnO做出了相关研究：1、为了更好的理解ZnO的物理性质本文首先对本征ZnO的电子结构和光学性质进行了理论计算，针对Zn-3d电子的强相关作用，我们采用第一性原理计算中加U的方法对其进行修正，计算结果与其他文献中理论和实验值进行对比，确定了相关计算参数。2、鉴于目前ZnO的等价阴离子掺杂研究较少的现状，进行了低浓度下锌硫族化合物与ZnO的合金的相关计算，主要针对光电领域的能带工程中比较关心的晶格常数，禁带类型，带隙，光学性质。3、进行了N与S、Se、Te共掺ZnO的相关计算，主要讨论了掺杂体系的态密度及电荷分布，并通过价带顶有效质量的计算比较了三种共掺时的导电能力。