本文采用液态反应法成功制备了（CuS）_x:（ZnS）_1-x溶液,并使用化学浴沉积方法（Chemical Bath Deposition,CDB）以ITO玻璃为衬底制备了相应的（CuS）_x:（ZnS）_1-x薄膜,为了了解薄膜的形貌结构和透光率等性质,使用了扫描电子显微镜,X射线散射等和可见光分光度计等对薄膜样品进行了测试。使用水热法,在p型（CuS）_0.65:（ZnS）_0.35透明导电薄膜上生长ZnO纳米线,制备成ZnO异质结光电器件。对器件进行测试并可得到以下结论:前驱体溶液（CuS）_x:（ZnS）_1-x溶液是p型导电类型;采用化学浴沉积方法制备的相应薄膜,得到p型透明导电薄膜。薄膜的透明度取决于纳米晶粒的尺寸,因此可以通过调整Cu离子浓度x的大小来得到较小的晶粒尺寸的薄膜,最佳的薄膜光透过率在可见光光谱范围内平均约为70%。在这一系列不同Cu离子浓度的（CuS）_x:（ZnS）_1-x透明导电薄膜中,Cu离子浓度x=0.65时的（CuS）_0.65:（ZnS）_0.35薄膜具有最大的的光透过率,该成分的薄膜也是最致密最均匀的。因此选用在最佳性质在（CuS）_0.65:（ZnS）_0.35薄膜样品上,采用水热法生长氧化锌纳米线,制成异质结光电器件。对制备出的ZnO异质结光电器件进行电学测试,可以得到其I-V曲线图,可以看出p型透明导电薄膜与ZnO形成了异质结。这意味着p型透明导电薄膜的具有深入研究的价值,在以后的科学研究中,可以对其给予更大的关注,为后续的应用打下理论基础。