高频率、高功率一直以来都是 GaN基 HEMT器件研究的热点。InAlN/GaN HEMT则着重于提高器件的电流增益截止频率(fT)。InAlN具有极强的自发极化效应,能产生浓度高于AlGaN/GaN异质结的二维电子气。即使器件栅长缩短到深亚微米数量级,依然具有较大的器件纵横比(Lg/tbar),从而避免器件栅极控制能力的减弱。因此,毫米波InAlN/GaN HEMT比AlGaN/GaN HEMT更适合高频方面的应用。　　本论文借助二维数值仿真工具 Sentaurus TCAD对栅长缩短造成 InAlN/GaN HEMT的短沟道效应的原因进行了深入分析,发现漏致势垒降低(DIBL)和栅极下方沟道电势的二维分布是栅极缩短时引起短沟道效应的主要原因。当器件的栅长Lg大于120nm时,缩短栅长可以有效提高fT;当栅长小于60nm时,缩短栅长的方法对fT的提升已经没有明显的效果了。　　为了设计合适的栅极结构从而提高器件的fT,分别对T型栅、τ型栅和Γ型栅结构的InAlN/GaN HEMT进行仿真优化。分析发现栅极场板会减小器件的fT,对fmax却有一定的提升。若要通过采用场板结构提高器件的 fmax,可尽量增大靠近源极一端的栅极场板长度。并且使用较高的栅跟高度和较大的栅源距可以有效地改善器件的频率特性。然而,器件的击穿电压会随着栅源距的增大而减小。所以若想使器件同时具备较好的频率特性和击穿特性,必须要折中考虑,从而选择较为合理的栅极位置。　　在上述理论研究和仿真分析的基础上,提出了新型复合金属栅(CMG)结构的GaN基HEMT器件。其利用不同功函数的栅极金属在栅极下方的沟道内形成阶梯形电势分布,抬高了靠近漏极一端的栅极电势,屏蔽了漏极电势对沟道的影响,从而有助于抑制短沟道效应。同时,金属界面间形成的峰值电场能提高栅下电子的平均速率,从而改善电子传输效率,提高直流特性,并且栅极电容的减小和直流跨导的提高又能提高器件的频率特性。并且这些性能的改善随着构成栅极金属的种类增多而越明显。　　基于Lombardi迁移率模型对栅长为200nm的InAlN/GaN HEMT进行了实验与仿真的对比分析。当栅源电压为2V时,器件的最大饱和输出电流为500mA/mm。fT和fmax分别为65.8GHz和143.6GHz。利用Lombardi迁移率模型分析了界面粗糙度散射对器件的影响。结果表明,异质结界面粗糙度散射缩短了沟道电子的平均传输寿命,使平均电子迁移率减小,从而导致器件的饱和电流和跨导分别减小57％和69％,fT和fmax分别降低58％和74％。