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该论文阐述了硅基底液晶光阀的工作原理,从理论上较为详细地分析了其中硅半导体器件的积累和耗尽相工作过程以及P<+>后接触层、n型微二极管阵列元等作用.说明了扭曲向列型液晶的混合场效应模的工作原理并比较了90°扭曲结构与45°扭曲结构的液晶光阀;给出了硅基底液晶光阀的主要制作工艺过程即:Si半导体器件、介质反射镜以及液晶层的制作工艺过程.还对制作的测试结果进行了分析,指出了目前制造过程中存在的困难和问题,特别是如何得到质量更好的薄单晶硅片及半导体器件中如何解决双面光刻和注入离子剂量的控制的准确性问题并提出了解决问题的途径;最后对器件的性能作了粗略地分析和估计.