【摘 要】
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该论文包括两个部分:一,低维系统中的量子混沌;二,自组织生长量子点超晶格红外吸收.第一部分包括三个方面:1,垂直磁场作用下运动场形状量子点中的量子混沌.给出了计算运动场
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该论文包括两个部分:一,低维系统中的量子混沌;二,自组织生长量子点超晶格红外吸收.第一部分包括三个方面:1,垂直磁场作用下运动场形状量子点中的量子混沌.给出了计算运动场形态量子点能级和波函数的方法,用能谱统计方法说明了系统的运动状态随外磁场的变化;2,倾斜磁场作用下量子阱中的量子混沌的能谱描述.给出了量子阱的能谱统计随外磁场变化而变化,False-T Violation使系统的能谱统计趋于GOE,并给出了谱刚度△<,3>(L)与RMT预言的差别;3,强耦合超晶格中的量子混沌能谱描述.强耦合超晶格中由于势垒的影响,可以使能谱统计在一定范围内表现出量子混沌的特点.第二部分主要给出了自组织生长量子点超晶格红外吸收的理论计算.考虑导带的子带吸收,用简单的模型计算出子带的红外吸收,所得结果与最近的实验符合得很好.
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