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随着第三代宽禁带碳化硅半导体器件的深入研究和逐渐市场化,碳化硅(SiC) MOSFET的优异性能也越来越受到人们的关注。为在PSpice仿真库中提供能够反映SiC MOSFET工作特性的仿真模型,为电力电子电路设计者提供仿真参考,本文重点研究了基于datasheet建立的SiC MOSFET PSpice模型。并针对具体型号的SiC MOSFET,建立了单管和半桥模块的PSpice模型。同时,本文在原有SiC肖特基二极管的PSpice模型基础上补充了SiC肖特基二极管的反向Ⅰ-Ⅴ特性,建立了SiC肖特基二极管的PSpice变温度模型。本文首先介绍了SiC MOSFET建模的研究背景及其国内外研究现状和基本的SiC MOSFET建模方法、建模流程。接着,提出了基于Si MOSFET内核型(based Si MOSFET core type, BSMCT) SiC MOSFET PSpice模型。该模型运用PSpice中的LEVEL1 MOSFET模型与外围电阻描述SiC MOSFET的静态特性。通过仿真探究了模型中的参数对SiC MOSFET静态特性的影响,并提出了一种基于datasheet的模型参数提取和修正方法。为准确描述SiC MOSFET的动态特性,提出了一种可以量化模型参数对栅漏电容值影响的开关模型。针对1200V/33A SiC MOSFET单管CMF20120D给出了相应的模型参数,将模型的静态特性仿真结果与datasheet进行了对比验证。随后,提出了基于电压控制电流源型(voltage-controlled current source type, VCCST) SiC MOSFET PSpice模型。该模型直接运用电流表达式描述SiC MOSFET的静态特性。针对SiC MOSFET的栅漏电容,提出了一种无开关模型,并进行了原理性仿真。文中分别针对1200V/33A SiC MOSFET单管CMF20120D和1200V/300A SiC MOSFET半桥模块CAS300M12BM2给出了相应的模型参数,并将单管和半桥模块模型的静态特性仿真结果与datasheet进行了对比验证。SiC二极管是最早商业化的SiC器件,本论文基于已有的SiC肖特基二极管模型补充了其反向Ⅰ-Ⅴ特性。对新型600V/4A SiC肖特基二极管型号C3D02060A和650V/50A SiC肖特基二极管C5D50065D建立了其PSpice模型,给出了相应的模型参数,并将模型的静态特性仿真结果与datasheet进行了对比验证。最后,搭建了双脉冲测试实验平台和相应的仿真电路,进行了SiC MOSFET和SiC肖特基二极管开关特性的相关实验和仿真测试,对比分析了实验与仿真结果的一致性。