高功率脉冲半导体激光器可以广泛应用于激光雷达、测距、医疗以及车载防撞系统中。近年来,激光测距、泵浦等系统继续向大功率、小型化发展,要求905nm大功率半导体激光器具有大功率、小电流和窄发散角等特性。905nm多有源区半导体激光器在相同的电流下能产生高于常规半导体激光器几倍的输出功率,具有小电流大功率的特点,因此905nm多有源区半导体激光器激光器倍受青睐,成为了905 nm大功率半导体激光器研究的主要方向。多有源区半导体激光器的有源区之间的距离减小,会发生耦合现象,而增大多有源区之间的距离产生的非耦合会引起严重的电流扩展,本文主要模拟了半导体体材料的电流输运特性和905nm多有源区半导体激光器的有源区之间的距离对电流的影响,理论分析电流的分布情况。介绍了器件制备过程中光刻、腐蚀和封装等工艺,制备了905nm双有源区半导体激光器,以实验数据验证模拟理论的情况。本文的主要内容包括:1、研究了半导体激光器的国内外发展情况和应用前景,分析了多有源区半导体激光器的工作原理。2、从电流连续性方程和泊松方程入手,求解半导体体材料的电位和电流密度分布。3、从半导体体材料入手,结合量子阱和隧道结的公式建立了多有源区半导体激光器的二维电流输运模型。求解双有源区半导体激光器的电位和电流密度分布,并对模拟结果进行了分析。4、成功制备了条宽为100μm、引线孔宽度为95μm、腔长为2000μm的905nm双有源区半导体激光器,对其进行I-V特性、光谱测试。