随着超大规模集成电路的特征尺寸不断缩小,微电子器件的集成度不断提高,由器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容（RC）耦合增大,从而使信号传输延时、干扰噪声增强和功率耗散增大。要解决这些问题,就要采用新的低电阻率连线材料和低介电常数绝缘材料来取代目前所采用的Al/SiO₂材料架构。作为SiO₂的替代材料,多孔的SiCOH低介电常数材料和超低介电常数材料已引起了人们广泛的关注。作为Al的替代物,铜由于其更低的电阻率,已作为互连线应用,使互连线的电阻率降低了40%。在超大规模集成电路的制造工艺中,SiCOH低k薄膜材料的刻蚀过程极其重要。由于SiCOH薄膜中存在孔隙,要实现SiCOH薄膜刻蚀过程的精确控制,要求刻蚀时采用富含F的碳氟等离子体。但是,在刻蚀过程中,SiCOH薄膜的结构将发生变化,同时也可能在SiCOH薄膜的表面发生碳氟薄膜的沉积,这些结构的变化和碳氟薄膜的沉积对Cu/SiCOH集成结构的电性能、C-V特性以及SiCOH薄膜的疏水性将产生影响,从而影响集成电路的性能。本文采用CHF₃等离子体表面处理技术,研究了SiCOH低介电常数薄膜经CHF₃等离子体表面处理后,SiCOH薄膜结构、疏水性和Cu/SiCOH集成结构的电性能、C-V特性的变化。发现SiCOH低介电常数薄膜经CHF₃等离子体表面处理后,Cu/SiCOH结构的漏电流降低、平带电压的漂移减小、薄膜表面粗糙度减小,但SiCOH薄膜的疏水性能变差。