【摘 要】
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目前IT系统向高集成度、高频宽带化方向发展,要求在更小的基片上集成更多的元器件,这除了依靠高密度集成技术的发展外,从器件本身出发,只有研制小型化、薄膜化的器件,以减小系统的
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目前IT系统向高集成度、高频宽带化方向发展,要求在更小的基片上集成更多的元器件,这除了依靠高密度集成技术的发展外,从器件本身出发,只有研制小型化、薄膜化的器件,以减小系统的整体体积、重量,才能达到减小功率损耗、提高信号传输效率的要求。而作为磁性元器件中最重要的电感,它不仅在LC滤波电路、扼流圈中必不可少,在现代射频通信电路中也被广泛使用,特别是能与硅器件一起集成的薄膜电感器,在国际上备受重视,而国内长期以来,由于受薄膜磁芯材料、绕组材料、基片材料,包括制作技术及最为关键的设计技术限制,尚未研发出能够用于这一应用领域的高、中、低频薄膜电感器。本文的研究工作正是从这里入手。论文研发工作以薄膜电感的设计与制作为重心,采用理论计算与实验制作共进的研究模式。首先基于Biot-Savat定律,推导不同绕线形状电感的新理论计算式,并根据理论计算结果设计了不同电感值的薄膜电感,并首次提出多层薄膜磁场分布的传输线模型。再次,研究了薄膜电感所使用的CoNbZr高频软磁薄膜材料的性能,并利用真空磁控溅射设备,克服各种关键技术及工艺难度,在10mm×10mm的PCB板、20mm×20mm陶瓷基片上制作了薄膜电感。最后,测试了薄膜电感的性能,研究了薄膜厚度、绕线形状等对薄膜电感使用频率、品质因素、电感值的影响,并与理论计算结果进行比较。实际的测试表明,我们所推导的薄膜电感计算式能较好的符合测试结果,所制作的IT用薄膜电感可用于1MHz-1GHz的射频段,扩宽了电感的使用频段,并使电感从三维向两维空间发展,减小了电感的体积、重量,满足了器件“小、轻、薄”发展的需求。
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