BTO,BIT铁电体的分子动力学模拟

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铁电材料是一种十分重要的信息功能材料,在铁电随机存储等诸多领域具有广泛的应用前景。近年来,铁电钙钛矿结构材料在非挥发性铁电薄膜存储器,微电子机械系统以及可调微波器件等领域具有许多重要应用,引起了人们广泛的研究兴趣。本论文采用基于壳模型的分子动力学方法,分别研究了简单钙钛矿结构铁电体BaTiO_3 (BTO)中的辐射位移效应以及铋层状钙钛矿结构铁电体Bi_4Ti_3O_(12) (BIT)的高压相变行为。(1)基于壳模型的分子动力学方法研究了BaTiO_3 (BTO)铁电体中的辐射位移效应。采
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