BTO,BIT铁电体的分子动力学模拟

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【摘要】

：

铁电材料是一种十分重要的信息功能材料,在铁电随机存储等诸多领域具有广泛的应用前景。近年来,铁电钙钛矿结构材料在非挥发性铁电薄膜存储器,微电子机械系统以及可调微波器件等领域具有许多重要应用,引起了人们广泛的研究兴趣。本论文采用基于壳模型的分子动力学方法,分别研究了简单钙钛矿结构铁电体BaTiO_3 (BTO)中的辐射位移效应以及铋层状钙钛矿结构铁电体Bi_4Ti_3O_(12) (BIT)的高压相变

【作者】

：

孙玲玲

【机构】

：

湘潭大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

分子动力学壳模型 BTO铁电体 BIT铁电体

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