作为一种有潜在吸引力的材料，多孔SiC(PSC)可以用来制备紫外发光二极管、灵敏光探测器、碳氢气体探测器和新颖的外延材料，目前被广泛研究。引起大家感兴趣的一个原因就是PSC比晶体SiC有更高的发光强度。本文采用粉末冶金和陶瓷工业中常用的固相烧结方法制备PSC，并测试了其光致发光谱(PL)和电阻率。 PSC的制备过程包括粉末的净化、压坯的压制、烧结过程和样品的后处理。压坯在500到1000MPa的压力下压制成型。在1.0atm的Ar气保护下进行烧结，选用的烧结时间从3小时到10小时，烧结温度由1600℃到1900℃。烧结后，用于氧法在氧化炉中氧化并研磨或直接研磨的方法去除样品表面过量的碳。 使用SEM，XPS和XRD对样品的结构和组成进行分析。结果显示样品已经形成了μm级连通孔洞的多孔组织，其主要成分是6H-SiC，3C-SiC和少量的CSi。 用He-Cd激光器(325nm，10mW)对样品的光致发光进行了测试。未经氧化研磨或研磨的样品在室温下有较高的发光强度，发光主峰位于2.05eV，在2.26eV处有一弱峰。经氧化研磨或研磨的样品在低温下有较高的发光强度，发光主峰位于2.02eV，在2.13eV有一弱峰，室温下发光峰发生蓝移。多孔SiC的发光来自于缺陷态。 对样品的电阻率进行了测量，总体呈现出随烧结时间和烧结温度的增加而先降低后增加的趋势，并随压坯的成型压力的增加而降低。