近三十年来,半导体量子阱和量子阱线中的激子态引起人们很大的兴趣。随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术的发展,低维半导体材料得以广泛应用。激子态对于材料中的电子输运及光学性质都有重要的影响,所以,低维半导体材料中的激子态的各种性质研究引起了广泛关注。 在研究有两种较匹配的材料组成的半导体超晶格时,人们认为像势的影响较小,所以在以前研究中都被忽略了。近几年来,由于晶体生长技术的发展,已经有可能生长出不匹配的两种不同材料组成的超晶格,像势的影响就不能忽略了。 在前人对量子阱线中激子束缚能的研究基础上,首先,我们采用变分法,在有效质量近似下,考虑了由于介电常数的失配而产生的像电荷对于量子阱线内激子束缚能的影响,计算了无限深GaAs/Ga_1-xAl_xAs（x=0.4）方形量子阱线模型中激子的束缚能。本文把无限深量子阱线考虑像势影响的激子束缚能分别与没加像势的激子束缚能及无限深量子阱中考虑了像势的激子的束缚能做了比较。在考虑了像势的影响下,我们利用平面波展开的方法计算了垂直电场作用下方形无限深介电势阱中激子的束缚能,讨论了在外电场的作用下像势对激子束缚能的修正随阱线宽、电场强度变化的特征关系。