【摘 要】
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采用EACVD方法沉积掺硼金刚石膜,研究了掺硼金刚石膜的生长特性、电学性能以及掺硼金刚石膜的电化学性质。本文采用液态B(OCH3)3做为硼源,通过改进掺杂工艺,制备出重掺硼金刚
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采用EACVD方法沉积掺硼金刚石膜,研究了掺硼金刚石膜的生长特性、电学性能以及掺硼金刚石膜的电化学性质。本文采用液态B(OCH3)3做为硼源,通过改进掺杂工艺,制备出重掺硼金刚石膜,随硼含量的增加其电阻率发生了绝缘体-半导体-导体-超导体的转变。重掺硼金刚石膜在室温下电阻率可达到10-3?·cm,在低温下(10K左右)发生超导相变。研究了掺硼金刚石膜作为电极在电化学领域的应用,采用循环伏安法测试发现金刚石膜表现出宽的电化学窗口和低的背景电流,以及在生物制剂检测中也表现出很高的灵敏度和很好的稳定性,是制备电极的理想材料。
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