Al(In)N半导体薄膜的制备与物性研究

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【摘要】

：

AlInN的物性一般可通过改变组分的方法进行大跨度调节,并可与GaN等材料晶格匹配,因此AlInN是比AlGaN和InGaN更为优异的三族氮化物三元合金材料。然而制备高质量的AlInN是当前的一大难题。AlN/GaN和AlGaN/GaN超晶格是当前三族氮化物超晶格结构的研究热点,而AlN/InN超晶格研究几乎尚为空白。但AlN与InN在带隙与电学等方面的特性差异极大,使AlN/InN超晶格结构具有

【作者】

：

芦伟

【机构】

：

四川师范大学

【发表日期】

：

2011年01期

【关键词】

：

超晶格磁控溅射 K-P模型半导体薄膜晶格匹配

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