大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征

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【摘要】

：

多晶Si薄膜太阳电池研究引起了人们的广泛关注,而采用大晶粒多晶Si薄膜是提高其能量转换效率的一条可行途径。本工作采用低压化学气相沉积(LPCVD)和高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)工艺,在SiO2表面上成功地制备了大晶粒多晶Si薄膜。利用α台阶仪和扫描电子显微镜(SEM)研究了衬底温度、反应气体压强和硅烷(SiH4)浓度等工艺参数对大晶粒多晶Si薄膜的生长速率和晶粒尺寸的影响,获得了制备最大

【作者】

：

张雷

【机构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2008年05期

【关键词】

：

太阳电池多晶Si薄膜大晶粒 LPCVD HFCVD 结构特征电学特性

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