SiC材料由于其优良的热，电，机械等方面的优异性能被广泛应用于冶金，化工，能源，生物，半导体材料与器件等多个领域。但是，传统制备方法制备SiC存在制备温度高，电能消耗量大，环境污染严重等诸多问题。材料学者们不断探索，寻求一种新的绿色制备SiC的工艺，近年来，材料学者通过不同的制备工艺，探索了从低温到高温，从高性能SiC陶瓷及其复合材料到SiC纳米材料，从SiC单晶材料到SiC同质异质外延等制备工艺，成功探索和制备出了各种形态的SiC材料，为SiC的广泛应用做出了巨大贡献。本文分别从有机硅裂解和Al催化方向分别制备了SiC, SiC(w)/SiC材料，并通过研究不同的工艺路线，和不同的工艺因素对SiC, SiC(w)/SiC的影响，得到了有效的能在较低温度下制备SiC, SiC(w)/SiC的方法。主要的工作内容如下所示。1.探索了采用酚醛树脂和滤纸裂解的残余碳浸渍H201#甲基硅油制备SiC的工艺。发现此工艺存在SiC产率低，不能得到较高纯度的SiC材料的缺陷。并发现产物中存在大量的非晶相。虽然成功的制备出了块体材料，但得到的块体材料致密性差，物理性能差。得到了此工艺制备SiC原理为碳热还原反应原理。2.采用滤纸裂解的残余碳浸渍硅粉的酚醛树脂悬浊液，成功的制备得SiC(w)/SiC复合材料。研究了温度对SiC材料制备的影响，发现随着温度的升高，原料反应的越完全，产物析晶程度越好，得到的SiC纳米线长径比越大；在1430℃温度下，复合材料中原位生成的SiC纳米线表面光滑、尺寸均一、长径比大于103，以沿滤纸Ｃ化过程中形成的空隙生长为主，并能穿插生长于树脂与滤纸层；讨论了此工艺制备SiC机理，发现SiC的生成初期受扩散机制控制，而随着温度的升高，基体中开始生成SiC纳米线，其生长机制为VS机制，而基体SiC材料始终受扩散机制控制。3.采用Si粉为硅源，酚醛树脂裂解C为碳源，在一定含量Al的催化下，在较低的温度下合成了SiC材料。研究了催化剂含量对材料合成温度及产物形貌的影响，分析了Al的催化作用机理。对比研究发现，以Al为催化制备SiC材料，可使SiC的生成温度降低约400℃，可以有效的细化SiC晶粒，但对于SiC纳米线，纳米棒的生成有一定的抑制作用。4.研究了以SiO2为硅源，碳粉为碳源制备SiC材料的合成工艺Al催化剂的作用效果，分析了催化剂的引入对合成材料温度与产物纯度的影响，并探讨了催化剂的作用机制。5.研究了以Fe2O3、Ti分别为催化剂，以SiO2为硅源，碳粉为碳源制备SiC材料的工艺。并对不同催化剂合成的产物进行了对比，分析了不同催化剂的作用效果。研究得出以Fe2O3为催化剂，难以制得SiC材料；以Ti粉取代铝粉为催化剂，只能反应得到TiC和Ti3SiC2而非SiC材料。