【摘 要】
:
太赫兹波具有探测隐藏物体、对有机生物体无损检测等特性,太赫兹成像技术基于太赫兹波的特点,在癌细胞探测、缺陷检测、安全检查等领域发挥着重要的作用,对于理论研究及工业应用有十分广阔的应用前景。太赫兹数字全息术是太赫兹成像技术与数字全息技术相结合的产物,相对于传统成像技术来说,这种干涉测量法既可以得到穿透或从物体反射的太赫兹波的振幅,又可以得到其中的相位信息,而且,它一定程度上能够改善成像质量,提高系统
【基金项目】
:
新型太赫兹源、接收器和其它关键功能器件及其应用基础研究(“973”项目)(编号 2014CB339800);
论文部分内容阅读
太赫兹波具有探测隐藏物体、对有机生物体无损检测等特性,太赫兹成像技术基于太赫兹波的特点,在癌细胞探测、缺陷检测、安全检查等领域发挥着重要的作用,对于理论研究及工业应用有十分广阔的应用前景。太赫兹数字全息术是太赫兹成像技术与数字全息技术相结合的产物,相对于传统成像技术来说,这种干涉测量法既可以得到穿透或从物体反射的太赫兹波的振幅,又可以得到其中的相位信息,而且,它一定程度上能够改善成像质量,提高系统的光学分辨率。本文利用全息术理论,搭建了工作频率为0.17THz的离轴全息系统,物光光路使用4f透镜组合,利用频域滤波法重建了像平面物光波前,并且在CCD处于不同位置时根据角谱理论,利用衍射的逆运算获得了像面的物光复振幅。将得到的图像与焦平面成像进行了对比,通过对自制的太赫兹分辨率卡进行成像估测其分辨率。在此基础上,对物光光路进行改良,物镜方再加入一面透镜组成变焦系统,不仅可以灵活调节焦距比使得样品更好充斥CCD窗口,而且由于合成透镜的显微功能,提升了系统的横向分辨率。之后,同样对改进后的系统利用自制分辨率卡进行全息成像,实验结果接近理论极限分辨率。
其他文献
随着移动设备的普及和计算机图形学的发展,图形处理器在各个领域中得到了广泛的应用,无论是商业办公还是普通的家用系统计算机,或者是游戏发烧友,对于图形处理器的性能要求越来越高,而面对目前纳米级工艺制程,芯片的高能耗成为制约系统性能提升的一个瓶颈,寻求新的低功耗技术以及合理地规划低功耗设计方案,成为高性能低功耗设计得以实现的主要途径。本文在分析CMOS数字集成电路功耗来源和影响因素的基础上,对物理设计阶
SiGe BiCMOS工艺将传统CMOS工艺低成本、高集成度的优势与SiGe工艺出色的射频(RF)性能相结合,已广泛应用于毫米波和亚毫米波市场。该工艺下集成电路的可靠性问题也越来越被重视。其中,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)事件是影响芯片可靠性的重要因素之一。如何提高该工艺下集成电路的ESD防护性能已经成为了该领域的研究重点。本论文主要基于TCAD仿真对SiGe
电子封装基板尺寸不断减小,引脚数量不断增多,引脚线宽/引脚间距更加细小,为适应这种发展趋势,研究细间距专用无铅焊锡膏已成为焊锡膏研究的热点。间距减小,意味着焊点截面尺寸减小,对焊点的力学性能要求更高,纳米增强复合焊锡膏提高焊点的可靠性也是目前焊锡膏研究的热点。本文以Sn0.3Ag0.7Cu无铅焊锡粉为基础,研究了成膜剂、溶剂、触变剂及焊锡粉含量对焊锡膏助焊性、触变性以及抗热塌性的影响,通过优化成膜
在功率半导体器件领域,MOS栅控器件具有高输入阻抗、易驱动等优点,广泛应用于机车牵引、风力发电、新能源汽车等。IGBT是一种典型的MOS栅控复合型器件,在大功率应用中存在的主要问题就是如何解决其通态压降与关断损耗之间的矛盾关系。本文提出两种具有隐埋层的基极电阻控制晶闸管(BRT)新结构,一种具有隐埋n型载流子存储层的BRT(BN-CS-BRT)结构与一种具有SiO2埋氧层的BRT(BOX-BRT)
自有机场效应晶体管(OFETs)被发现研究以来,在柔性驱动显示、传感器阵列以及生物便携设备应用等方面广受关注。基于溶液法制备OFETs因操作简单、对制备环境要求相对较低等优势备受青睐,所得的有源层薄膜质量对器件性能至关重要。本文采用的有机半导体材料是聚3-己基噻吩(P3HT),溶液法旋涂时聚合物分子呈无序卷曲状态,阻碍电荷载流子传输,因此改善P3HT分子成膜的结晶度和排列有序性对提高器件性能有重要
自世界上第一台红宝石激光器问世以来,激光以其亮度高、方向性好和相干性好等特性,在工业生产、国防、医疗、科学研究等领域获得了广泛应用。特别在合成波绝对距离干涉测量应用中,双频激光器发挥着极其重要的作用,其频差越大,合成波长越小,测距精度就越高;同时,为了易于实现对被测距离的粗测,需要较大的合成波长,即要求双频激光的频差尽量小,因此,大频差可调谐双频激光器成为合成波绝对距离干涉测量系统的理想光源。固体
3D-SiC和2D-MoS2的组合,结合了 2D-MoS2的高p型电导率、低开启电压以及SiC的宽带隙和高击穿电场,使异质结在光电探测器和光催化领域表现出潜在的优势。2D材料的电子结构直接依赖于衬底材料的表面结构,SiC作为直接生长MoS2的衬底材料,其表面形态对MoS2以及MoS2/SiC异质结界面的电学性质都起着关键的作用,因此理论探索SiC的不同表面如何影响界面及MoS2的电学特性,在3D-
混沌系统具有的类噪声、宽频谱、初值敏感、脉冲自相关、非周期等特点,使其被广泛应用于各个领域,应用于通信和信息加密是其中两个重要方向。近几年来,混沌与无线通信物理层调制方法结合获得抗多径性能引起了关注,同时,具有无穷维密钥空间的延迟超混沌系统的加密应用也展示了独特的性能。5G通信已经成为人们日常通信手段,5G更适合的场景为工业物联网,而工业物联网环境中密集的终端集合、复杂的信道环境要求通信方法在大容
随着半导体技术的快速发展,碳化硅(SiC)凭借特有的禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高等优良特性,使其成为制造高温、高频、大功率以及光电集成器件的理想材料,在微电子、光电子以及光伏行业得到了广泛应用。为了降低制造成本,被切割的晶体直径逐渐增大,晶片厚度在不断降低,同时对切割技术要求也越来越高。切割是SiC单晶片制造的第一道工序,切片的质量直接影响晶片后续加工工序中的材料去除量、晶片成品率、加工效率
研究各种水质因子(水温、溶解氧、电导率、pH、营养盐等)对三峡库区支流水体富营养化的驱动效果,为库区支流水体富营养化的防控与治理提供科学依据。于2018年11月至2019年10月在三峡库区高阳平湖进行了12次样品采集,获取了水温、水体pH、营养盐、水体溶解氧等指标数据,利用主成分分析法研究三峡库区支流水体富营养化状况,并分析其主要驱动因子。结果表明:应用主成分分析法将7项水质指标转换提取为2种主成