【摘 要】
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本论文首先介绍了静电感应晶体管SIT作用机理,在此基础上系统分析了材料参数、工艺参数和结构参数与器件电性能的关系。对各种特性间的制约关系做了适度的参数调节,对器件的
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本论文首先介绍了静电感应晶体管SIT作用机理,在此基础上系统分析了材料参数、工艺参数和结构参数与器件电性能的关系。对各种特性间的制约关系做了适度的参数调节,对器件的版图进行了优化调整,而且配合新版图,设计了相应的工艺方案,通过单项试验,得到了相应工艺的最佳条件;对于外延层必须达到的工艺参数,提出了一系列减小或抑制外延过程中扩散效应和自掺杂效应的工艺措施和方案,使外延层质量有了明显的提高;为了切断栅极和源极(或阴极)之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行了外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进行了研究;为消除栅墙外划片边界造成的各种寄生效应,在有源区的外面挖深槽,以保证栅源击穿发生在内部、实现击穿接近理论值。
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