【摘 要】
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本文选择Eu2+离子为主要掺杂离子，以硫属化合物为基质，采用传统的高温固相法合成了多个系列的荧光粉，利用XRD摸索了荧光粉的合成条件，利用漫反射光谱、激发光谱、发射光谱和荧光
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本文选择Eu2+离子为主要掺杂离子，以硫属化合物为基质，采用传统的高温固相法合成了多个系列的荧光粉，利用XRD摸索了荧光粉的合成条件，利用漫反射光谱、激发光谱、发射光谱和荧光寿命等研究了它们的发光性能，制造了部分LED成品，测量了它们的发光性能。
本论文首次合成了MMGa3S6O(M=Ca，Sr，Ba，M′=La，Gd，Y)掺杂Eu2+离子系列荧光粉，研究了Eu2+离子在SrLaGa3S6O中的浓度猝灭机制；合成了一系列硒化物荧光粉(Ca1-xSrx)Se：Eu2+、Ca(S1-xSex)，比较了漫反射谱和激发谱；合成了三元硫化物Ba2ZnS3掺Eu2+和Mn2+荧光粉，测量了Eu2+离子在上述荧光粉中的荧光寿命，研究了SrGdGa3O7：RE3+(RE=Eu，Ce，Pr，Tb)的紫外和真空紫外发光性质，从发射光谱图计算了Eu3+离子的能级位置；用所合成的部分荧光粉涂覆在半导体芯片上用树脂封装制造了发光二极管，并且测量了它们的发光性能如发光强度、色坐标等。
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