作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族窄禁带半导体，氮化铟有着优良的输运和电学性能。人们对氮化铟在例如短波长激光器，高效太阳能电池以及高频/高功率电子器件等许多光电器件方面有着极大的研究兴趣。准一维氮化铟纳米材料的尺寸效应和维度效应赋予其与块体材料不同的奇特性能。然而，目前准一维氮化铟纳米结构的生长机理尚不明确，缺乏有效控制其生长的制备方法，因此难以根据光电子器件的性能要求对其结构进行有效调控，也制约了其结构-性能关系、尺寸效应和维度效应的研究。　　因此，本文主要围绕准一维氮化铟纳米半导体材料的合成、生长机理开展了研究和探讨。　　采用化学气相沉积法，通过调节气流和生长长温度等参数，在反应物上得到氮化铟纳米线。运用XRD对产物进行分析，明确了样品为纯净的六方纤锌矿结构的InN。借助于扫描电子显微镜和透射电子显微镜技术，表征了产物的形貌和微观结构，并初步解释了该产物的生长机理。　　采用化学气相沉积方法，尝试在硅基片上生长氮化铟准一维结构。通过对沉积区温度、基片上催化剂和反应气流的调控，得到了不同形貌的产物。运用扫描电镜和透射电镜对硅片上的产物进行了表征，初步揭示了上述生长条件对产物生长的影响，并对部分产物的生长模型进行了讨论。