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来源 :北京大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
AlGaN/GaN宽禁带半导体异质结构体系是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构,深受国际上的关注。因此,AlGaN/GaN异质结构材料与器件的研究已成为当前研
【作 者】
:
王茂俊
【机 构】
:
北京大学
【出 处】
:
北京大学
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
Ⅲ族氮化物半导体材料
异质结构
极化效应
高温输运性质
能带结构
MIS结构
电学性质
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