论文部分内容阅读
21世纪的技术要求器件小型化甚至小至纳米尺寸,而其最终的性能要显著增强。这一要求带动了纳米材料的快速发展。纳米材料独特的性质和优异的性能由其尺寸、表面结构及粒子间的相互作用决定。在众多的纳米材料中,ZnO作为一种直接宽禁带(3.37 eV)半导体材料而备受关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物,具有低介电常数、高化学稳定性等许多优点,在透明导电薄膜、气体传感器和声表面波器件等方面有着广泛用途。本论文以ZnO薄膜和纳米四脚状晶须(T—ZnOw)为研究对象,对其进行制备、表征和分析。在利用脉冲激光