PNNZT三元系压电陶瓷的B位氧化物制备工艺和性能研究

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本文将B位氧化物前驱体工艺引入PNN-PZT(Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Zr,Ti)O_3)三元系压电陶瓷的制备中。对该系统B位氧化物前躯体的合成温度进行了探索,同时对烧结温度和锆钛比对该系统的压电、介电以及机电等性能的影响进行了研究。通过TG、DTA和XRD等分析手段对B位氧化物前躯体的合成温度进行了研究,结果表明在1355℃时可以合成具有单一相结构的B位氧化物前躯体,基于此,加入氧化铅合成并烧结后可以得到具有单一钙钛矿结构的PNN-PZT压电陶瓷,从而成功的避免了焦绿
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