富勒烯(C60),石墨烯和硫化亚锡（SnS）纳米线因为它们优异的电学和光学性质,在近几年来被广泛应用于光探测器中,受到了极大的关注。但是,由于C60在近红外区域没有吸收,因此很少应用于近红外光探测器中。而对于石墨烯光探测,由于引入光吸收层的波长主要集中在可见光和紫外光波段,近红外光只能靠石墨烯自身吸收,导致了多数石墨烯光探测器在近红外波段的性能比较普通。SnS纳米线具有载流子迁移率高,窄带隙以及在近红外区域有着出色光吸收等优点,但是基于SnS纳米线近红外光探测器的研究却比较少。根据以上情况,本文研究了富勒烯、石墨烯和硫化亚锡纳米线在近红外光探测器中的应用。内容主要包括以下几个方面:（1）本文研究了C60受体层位置（即在源漏电极的上方、下方或与供体层形成体异质结）对近红外光敏有机场效应管性能的影响（NIR PhOFETs）。结果表明当C60与酞菁铅（PbPc）形成体异质结时,由于体异质结可以提高激子的解离效率,该器件的性能最佳。这项研究为制备高性能近红外光探测器提供了一种优化思路。（2）利用在近红外具有出色吸收的金属酞菁类材料（Sn Pc和PbPc）、C60电子受体层与石墨烯相结合,研究了基于石墨烯/有机半导体异质结的近红外光探测器。并且研究了C60薄膜位置对器件性能的影响,发现由于graphene和C60晶格十分匹配,所以基于graphene/C60/PbPc异质结的器件具有最好的性能。然后,将C60/PbPc层放到源漏电极上方来改善载流子注入(即graphene/Au/C60/PbPc结构),且减小了C60受体层的厚度（10 nm）,使器件性能获得了进一步的提升（最大光响应度高达2153 A/W）。此外,在该器件中还发现了最近比较火热的双向光响应现象。（3）从不同电极材料（金和铝）以及与PbPc形成异质结两个方面研究了基于SnS纳米线的平面光电导器件。结果表明,由于Au与SnS纳米线之间的注入势垒较小,形成了欧姆接触,这让Au器件光电流较高,但是也导致其暗电流较大（10 V,0.5μA）,而Al与SnS纳米线之间较大的注入势垒使Al器件获得了一个较小的暗电流（10 V,0.029μA）,但是其光电流较低（比Au器件大约低一倍）,最后基于SnS/PbPc/Al结构的器件由于Al和PbPc之间较大的接触势垒、PbPc在近红外出色的吸收以及新形成的异质结界面增加了激子解离效率,其性能得到了全面的提升（该器件的光响应度、光暗比、外量子效率和比探测率在所有器件中都是最高的）。