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【摘 要】
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自GaN基LED技术诞生以来,p层优化生长是进一步提升LED光电性能的主要任务之一。其中,作为一种能够有效提升硅基GaNLED光电性能的外延生长技术,量子阱区形成V形坑的技术获得了
【出 处】
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南昌大学
【发表日期】
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2004年期
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