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本论文探讨了SBN60薄膜的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法以及脉冲激光沉积(PLD)法生长技术及其原理。在Sol-Gel法制备中,分别用NbCl_5,KOH和Nb(OC_2H_5)_5作为Nb醇盐的先驱物制备出SBN60前驱溶液,随后在1000℃的退火温度下,在Si(100)与MgO(001)衬底上生长出高度C轴择优取向的SBN60铁电薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、二次离子质谱(SIMS)、受激拉曼散射、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、阻抗分析仪、铁电测