磁性半导体是一种兼具半导体处理信息能力和磁性材料存储信息功能的材料,在未来的新型电子器件中具有极大的潜在应用价值。过渡金属硫族化合物作为一种性能优异的二维结构半导体材料,其室温铁磁性能的引入和调控也引起了广泛研究。在以往的报道中,研究者们主要通过理论计算来探讨过渡金属硫族化合物的磁性产生和调控的机制。至今,过渡金属硫族化合物的微观结构(如结晶程度、缺陷浓度等)与磁性之间的联系尚未清楚。本文采用水热法制备了二硒化钼(MoSe2)粉末。通过改变热处理过程中的退火温度调控样品的结晶性和相结构,并研究其对样品室温磁性的作用规律及磁性来源;通过控制水热法中前驱体的配比制备了非化学计量平衡态的MoSe2-x样品,探索了其形貌、显微结构和成分与磁性能的内在联系;通过一步法制备了类合金的MoSSe,并用两步法制备了 MoSe2/MoS2的复合结构,进一步研究了不同结构对样品的磁性能影响。主要研究内容如下:1.通过水热法制备了 MoSe2粉末,并在200℃～600℃条件下退火2小时,通过改变退火温度调节样品的结晶度和相结构,研究了 MoSe2的结晶性、相结构及磁性能之间的关联。实验结果表明样品的非晶度、1T相比例对MoSe2室温磁性具有重要的作用。随着退火温度的提高,样品的结晶程度不断提高,1T相比例逐渐减少,其饱和磁化强度随之降低。其中,结晶度对磁性能的变化贡献度远大于相比例的变化。2.通过控制水热反应前驱体中Se/Mo的比例,制备了具有不同化学计量配比的MoSe2-x样品。当Se/Mo比例从2.00下降至1.70时,样品能维持MoSe2的基本物相,但其磁性经历了先上升后下降再上升三个阶段,1T相和Se空位在磁性变化过程中发挥重要作用。MoSe2-x的磁性能随着1T相比例和Se空位浓度的增加而增强。MoSe2-x的磁性来源可能是1T相中Mo4+离子的自旋。3.通过一步法和两步法分别制备了类合金的MoSSe和MoSe2/MoS2的复合结构,并研究了制备方式对样品的磁性能的影响规律。实验结果表明,两种制备方式获得的材料具有不同的微观结构,前者为类合金结构,后者为复合结构。一步法制备的样品的磁性主要来源于内部缺陷,两步法制备的样品的磁性能主要来源为MoSe2/MoS2的界面。后者有利于诱导更强的室温磁性。